半導体素子の金属配線形成方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：中川周吉 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-186251
公開番号（公開出願番号）：特開2002-100630
出願日： 2001年06月20日
公開日（公表日）： 2002年04月05日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】銅蒸着を加速化させる化学的強化剤層を形成した後、プラズマ処理またはラジカルプラズマ処理を行ってダマシンパターンの底面にのみ化学的強化剤層を残留させることにより、銅前駆体を用いた銅の選択的蒸着工程を行なうことが出来るから、微細な構造における銅配線を容易に形成することが出来る半導体素子の金属配線形成方法を提供する。【解決手段】半導体素子の金属配線形成方法は、ダマシンパターンを有する絶縁膜13が形成された半導体基板を提供する段階と、絶縁膜13上に拡散防止膜14を形成する段階と、拡散防止膜14上に化学的強化剤層15aを形成する段階と、化学的強化剤層15aが前記ダマシンパターンの底面にのみ残るようにプラズマ処理する段階と、CVD法により銅層16aを形成する段階と、前記水素還元熱処理及び化学的機械的研磨工程を行って銅金属配線16を形成する段階とを含んでなることを特徴とする。

請求項（抜粋）：

ダマシンパターンを有する絶縁膜が形成された半導体基板を提供する段階と、前記絶縁膜上に拡散防止膜を形成する段階と、前記拡散防止膜上に化学的強化剤層を形成する段階と、前記化学的強化剤層が前記ダマシンパターンの底面にのみ残るようにプラズマ処理する段階と、CVD法により銅層を形成する段階と、水素還元熱処理及び化学的機械的研磨工程を行って銅金属配線を形成する段階とを含んでなることを特徴とする半導体素子の金属配線形成方法。

IPC (4件)：

H01L 21/3205 , C23C 16/18 , H01L 21/285 , H01L 21/768

FI (4件)：

C23C 16/18 , H01L 21/285 C , H01L 21/88 M , H01L 21/90 A

Fターム (82件)：

4K030AA11 , 4K030BA01 , 4K030BB13 , 4K030CA04 , 4K030CA12 , 4K030DA08 , 4K030HA01 , 4K030HA04 , 4K030JA09 , 4K030JA10 , 4K030JA16 , 4M104BB02 , 4M104BB04 , 4M104BB14 , 4M104BB17 , 4M104BB18 , 4M104BB25 , 4M104BB27 , 4M104BB30 , 4M104BB32 , 4M104BB33 , 4M104CC01 , 4M104DD06 , 4M104DD22 , 4M104DD33 , 4M104DD43 , 4M104DD52 , 4M104DD75 , 4M104DD78 , 4M104FF16 , 4M104HH08 , 4M104HH14 , 5F033HH08 , 5F033HH11 , 5F033HH19 , 5F033HH21 , 5F033HH27 , 5F033HH30 , 5F033HH32 , 5F033HH33 , 5F033HH34 , 5F033JJ01 , 5F033JJ08 , 5F033JJ11 , 5F033JJ19 , 5F033JJ21 , 5F033JJ27 , 5F033JJ30 , 5F033JJ32 , 5F033JJ33 , 5F033JJ34 , 5F033KK08 , 5F033KK11 , 5F033KK19 , 5F033MM02 , 5F033MM12 , 5F033MM13 , 5F033NN06 , 5F033NN07 , 5F033PP06 , 5F033PP08 , 5F033PP11 , 5F033PP20 , 5F033PP27 , 5F033PP33 , 5F033QQ00 , 5F033QQ09 , 5F033QQ37 , 5F033QQ48 , 5F033QQ71 , 5F033QQ73 , 5F033QQ92 , 5F033QQ94 , 5F033WW00 , 5F033WW02 , 5F033WW03 , 5F033WW04 , 5F033WW05 , 5F033WW07 , 5F033XX01 , 5F033XX03 , 5F033XX28

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