特許

J-GLOBAL ID：200903041865281386

窒化インジウムガリウムの成長方法

発明者： 中村 修二 ,  向井 孝志
出願人/特許権者： 日亜化学工業株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-352944
公開番号（公開出願番号）：特開平6-177059
出願日： 1992年12月10日
公開日（公表日）： 1994年06月24日
要約：

【要約】【目的】 X値が0XGa1-XNを成長でき、しかもInGaNの強いバンド間発光を示す結晶性に優れたInGaNの成長方法を提供する。【構成】 一般式InXGa1-XN(但しXは0 請求項（抜粋）：

一般式InXGa1-XN(但しXは0 IPC (4件)：

H01L 21/205 ,  H01L 21/268 ,  H01L 33/00 ,  H01S 3/18

引用特許：

審査官引用 (5件)

• 特開平1-215014
  
• 特開平1-164895
  
• 特開平1-215014
  
• 特開平4-297023
  
• 特開平4-297023