半導体モジュール基板及びその製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：宮田金雄 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-241798
公開番号（公開出願番号）：特開平9-082844
出願日： 1995年09月20日
公開日（公表日）： 1997年03月28日
要約：

【要約】【課題】設計時間が省力でき、予め放熱板の反り加工が不要な半導体モジュール基板を得ること。【解決手段】表面に第1の導体金属箔101、裏面に第2の導体金属箔103が設けられたセラミックからなる基板103と、第1の導体金属箔101に第1のはんだ117を介して固定した半導体素子118と、第2の導体金属箔103に第2のはんだ104を介して固定した半導体素子118の発熱を放散する放熱板105とを備えた半導体モジュール基板100であって、第1および第2の導体金属箔101、103の同様な材質であると共に、第1の導体金属箔101の厚さ値taと第2の導体金属箔103との厚さ値tbの比tb/taが0.1〜0.5である。

請求項（抜粋）：

表面に第1の導体金属箔、裏面に第2の導体金属箔が設けられたセラミックからなる基板と、上記第1の導体金属箔に第1のはんだを介して固定した半導体素子と、上記第2の導体金属箔に第2のはんだを介して固定した上記半導体素子の発熱を放散する放熱板とを備えた半導体モジュール基板であって、上記第1および第2の導体金属箔は同様な材質であると共に、上記第1の導体金属箔の厚さ値taと上記第2の導体金属箔との厚さ値tbの比tb/taが0.1〜0.5であることを特徴とする半導体モジュール基板。

IPC (3件)：

H01L 23/14 , H01L 23/36 , H01L 23/40

FI (3件)：

H01L 23/14 M , H01L 23/40 F , H01L 23/36 D

引用特許：

審査官引用 (5件)

半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-318550 出願人：株式会社東芝
特開平4-343287
特公平5-025397

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