特許

J-GLOBAL ID：200903041880432374

半導体装置および半導体装置の製造方法

発明者： 岩谷 昭彦 ,  増田 正親
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 筒井 大和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-304058
公開番号（公開出願番号）：特開2001-127212
出願日： 1999年10月26日
公開日（公表日）： 2001年05月11日
要約：

【要約】【課題】 BCCタイプの半導体装置における反り変形を防止する。【解決手段】 封止樹脂1からなるパッケージ内の偏った位置に半導体素子2を封止し、封止樹脂1の樹脂バンプ1aに設けられボンディングワイヤ3にて半導体素子2に接続され、実装端子として機能する金属膜5を備えたBCCタイプの半導体装置10において、封止樹脂1の半導体素子2に対応する部位に封止樹脂凹部6を形成し、封止樹脂1のボリュームを減らして反り変形を防止する。

請求項（抜粋）：

半導体素子と、前記半導体素子の少なくとも一部を覆う封止樹脂とを含む半導体装置であって、前記封止樹脂の一部に凹部が形成されてなることを特徴とする半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 23/28 ,  H01L 23/12

FI (2件)：

H01L 23/28 J ,  H01L 23/12 L

Fターム (11件)：

4M109AA01 ,  4M109BA01 ,  4M109BA07 ,  4M109CA21 ,  4M109DA04 ,  4M109DA08 ,  4M109DA10 ,  4M109DB02 ,  4M109FA04 ,  4M109FA10 ,  4M109GA05