特許
J-GLOBAL ID：200903041880914565
MIM型コンデンサおよびその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
谷 義一 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-011333
公開番号（公開出願番号）：特開平6-224070
出願日： 1993年01月27日
公開日（公表日）： 1994年08月12日
要約：
【要約】【目的】 単位面積あたりの容量が向上したMIM型コンデンサを提供する。【構成】 半導体基板11上に設けられる下部電極膜12の表面に凸条部12aを一定間隔ごとに形成して表面凹凸形状とし、かつこの下部電極膜12の表面形状に沿って絶縁膜13および上部電極膜14を形成する。
請求項（抜粋）：
下部電極と、この下部電極上に設けられた絶縁膜と、この絶縁膜上に設けられた上部電極とからなるMIM型コンデンサであって、前記下部電極が表面凹凸に設けられ、かつこの下部電極の表面形状に沿って該下部電極を覆う前記絶縁膜および上部電極が設けられていることを特徴とするMIM型コンデンサ。
IPC (3件)：
H01G 4/06 102
, H01L 27/01 321
, H01L 27/04
