特許

J-GLOBAL ID：200903041881943020

半導体装置及びその製造方法

発明者： 高井 一章 ,  近藤 和昭
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 北野 好人
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-073501
公開番号（公開出願番号）：特開2000-091539
出願日： 1999年03月18日
公開日（公表日）： 2000年03月31日
要約：

【要約】【課題】 密着性の高い電極をキャパシタの電極として用いた半導体装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】 第1の金属の酸化膜より成る第1の導電膜30と、第1の導電膜30上に形成され、第1の金属より成る第2の導電膜32と、第2の導電膜32上に形成され、第1の金属と異なる第2の金属を含む第3の導電膜34とを有する電極36を有している。

請求項（抜粋）：

第1の金属の酸化膜より成る第1の導電膜と、前記第1の導電膜上に形成され、前記第1の金属より成る第2の導電膜と、前記第2の導電膜上に形成され、前記第1の金属と異なる第2の金属を含む第3の導電膜とを有する電極を有することを特徴とする半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 27/108 ,  H01L 21/8242 ,  H01L 27/10 451

FI (2件)：

H01L 27/10 651 ,  H01L 27/10 451