特許

J-GLOBAL ID：200903041884776299

半導体基板用プラズマ表面処理装置

発明者： 岡 浩 ,  田中 健司
出願人/特許権者： ローム株式会社
代理人 (1件)： 石井 暁夫 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-089284
公開番号（公開出願番号）：特開2000-286239
出願日： 1999年03月30日
公開日（公表日）： 2000年10月13日
要約：

【要約】【課題】 下部電極盤5の上面に載置した半導体基板4を、チャンバー1でプラズマにて表面処理する場合において、その消費電力の低減を図ると共に、ノイズの発生を低減する。【解決手段】 前記下部電極盤5を、最上面に位置する高熱伝導率金属製の電極体7と、前記加熱ヒータ8を内蔵した加熱体9と、その間に挟んだ高熱伝導率の絶縁体10とで構成し、前記電極体7に、前記絶縁体を貫通する導体配線23を介して高周波を印加する一方、前記下部電極盤5を、前記加熱体9の下面に固着した支持体11にて支持する。

請求項（抜粋）：

チャンバーと、このチャンバー内の下部に配設した加熱ヒータ付き下部電極盤と、前記チャンバー内の上部に配設した上部電極盤又はマイクロ波放出手段と、前記下部電極盤から下向きに延びる支持体とから成るプラズマ表面処理装置において、前記下部電極盤を、最上面に位置する高熱伝導率金属製の電極体と、前記加熱ヒータを内蔵した加熱体と、その間に挟んだ高熱伝導率の絶縁体とで構成し、前記電極体に、前記絶縁体を貫通する導体配線を介して高周波を印加する一方、前記加熱体の下面に前記支持体を固着したことを特徴とする半導体基板用プラズマ表面処理装置。

IPC (4件)：

H01L 21/3065 ,  C23C 16/50 ,  C23F 4/00 ,  H01L 21/31

FI (6件)：

H01L 21/302 B ,  C23C 16/50 E ,  C23F 4/00 A ,  C23F 4/00 D ,  H01L 21/31 C ,  H01L 21/302 C

Fターム (35件)：

4K030CA04 ,  4K030FA02 ,  4K030KA12 ,  4K030KA14 ,  4K030KA17 ,  4K030KA46 ,  4K057DA20 ,  4K057DM01 ,  4K057DM02 ,  4K057DM06 ,  4K057DM09 ,  4K057DM29 ,  4K057DN01 ,  5F004AA00 ,  5F004BA04 ,  5F004BA06 ,  5F004BA11 ,  5F004BB18 ,  5F004BB26 ,  5F004BB29 ,  5F004BC08 ,  5F045DP01 ,  5F045DP02 ,  5F045DP03 ,  5F045DQ10 ,  5F045EB03 ,  5F045EF05 ,  5F045EF20 ,  5F045EH04 ,  5F045EH08 ,  5F045EH12 ,  5F045EH13 ,  5F045EH14 ,  5F045EK07 ,  5F045EM02