特許

J-GLOBAL ID：200903041887551220

半導体材料およびその作製方法

発明者： 山崎 舜平 ,  張 宏勇 ,  楠本 直人 ,  竹村 保彦
出願人/特許権者： 株式会社半導体エネルギー研究所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-080800
公開番号（公開出願番号）：特開平7-022311
出願日： 1991年03月18日
公開日（公表日）： 1995年01月24日
要約：

【要約】【目的】 本発明は、信頼性、電気的特性に優れた半導体材料、特に膜状に形成される半導体材料を提供することを目的とする。【構成】 レーザーアニールによって溶融過程を経ずしてアモルファス半導体を改質して作製された、酸素、窒素、炭素の濃度が、いずれも5×1019cm-3以下、望ましくは1×1019cm-3以下である半導体材料。

請求項（抜粋）：

炭素、窒素、および酸素の濃度がいずれも5×1019cm-3以下、好ましくは1×1019cm-3以下であるアモルファス珪素膜をレーザー光もしくはそれと同等な強光を照射して、溶融させることなく秩序化せしめることによって得られたことを特徴とする半導体材料。

IPC (6件)：

H01L 21/20 ,  H01L 21/268 ,  H01L 27/12 ,  H01L 29/04 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/336

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 特開平2-226718