特許

J-GLOBAL ID：200903041888511834

薄膜トランジスタ及びその製造方法

発明者： 升谷 雄一 ,  小林 和弘 ,  村井 博之
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 高田 守
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-231699
公開番号（公開出願番号）：特開平7-086604
出願日： 1993年09月17日
公開日（公表日）： 1995年03月31日
要約：

【要約】【目的】 薄膜トランジスタのオン時のドレイン電流を大きくできるとともに、オフ時のドレイン電流を低減する。【構成】 薄膜トランジスタのゲートとして働くSi薄膜に形成されたソース・ドレイン領域3とゲート領域4との境界付近のSi結晶粒径を大粒径化した構造とする。【効果】 ソース・ドレイン領域3とゲート領域4との境界付近の結晶粒界数を減らし、結晶粒界の未結合手の数を減らするとともに、抵抗を減少させ、オン時のドレイン電流を大きくするとともに、オフ時のドレイン電流を低減させることができる。

請求項（抜粋）：

二つのソース・ドレイン領域、この二つのソース・ドレイン領域と接してこの間にチャネル領域が形成されたSi薄膜を有する薄膜トランジスタにおいて、(1)上記二つのソース・ドレイン領域の少なくとも上記チャネル領域近傍の結晶粒径および(2)上記チャネル領域の少なくとも上記二つのソース・ドレイン領域近傍の結晶粒径、のうち少なくとも上記(1)および(2)の一方を他の領域のSi薄膜の結晶粒径より大粒径化したことを特徴とする薄膜トランジスタ。

IPC (3件)：

H01L 29/786 ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/336

FI (2件)：

H01L 29/78 311 S ,  H01L 29/78 311 Y