特許

J-GLOBAL ID：200903041891317399

磁気デバイス及び磁気メモリ

発明者： 甲斐 正 ,  岸 達也 ,  斉藤 好昭
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (7件)： 鈴江 武彦 ,  村松 貞男 ,  坪井 淳 ,  橋本 良郎 ,  河野 哲 ,  中村 誠 ,  河井 将次
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-329714
公開番号（公開出願番号）：特開2004-165442
出願日： 2002年11月13日
公開日（公表日）： 2004年06月10日
要約：

【課題】磁気抵抗効果素子のフリー層の磁化を反転させるのに使用する配線への負担が少なく且つフリー層の磁化を反転させるのに要する消費電力を低減可能な磁気デバイス及び磁気メモリを提供すること。【解決手段】本発明の磁気デバイスは、磁気抵抗効果素子2と、そのフリー層11の磁化の向きをその主面に平行な面内で変化させる際に、電流を流すことによりフリー層11の上記主面に垂直な垂直磁場成分をフリー層11の位置に発生してフリー層11の磁化の向きを上記主面に平行な方向から上記主面に垂直な方向へ向けて傾ける垂直磁場発生用配線3とを具備したことを特徴とする。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

強磁性を示すとともに磁場の印加により磁化の向きが変化し得るフリー層と、前記フリー層に対向し且つ強磁性を示すとともに前記磁場の印加前後で磁化の向きが維持されるピン層と、前記フリー層と前記ピン層との間に介在した非磁性層とを備えた磁気抵抗効果素子と、 前記フリー層の磁化の向きをその主面に平行な面内で変化させる場合、電流を流すことにより前記フリー層の前記主面に垂直な垂直磁場成分を前記フリー層の位置に発生して前記フリー層の磁化の向きを前記主面に平行な方向から前記主面に垂直な方向へ向けて傾ける垂直磁場発生用配線とを具備したことを特徴とする磁気デバイス。

IPC (6件)：

H01L43/08 ,  G01R33/09 ,  G11C11/15 ,  H01F10/14 ,  H01F10/32 ,  H01L27/105

FI (6件)：

H01L43/08 Z ,  G11C11/15 110 ,  H01F10/14 ,  H01F10/32 ,  H01L27/10 447 ,  G01R33/06 R

Fターム (12件)：

2G017AA10 ,  2G017AD55 ,  5E049BA16 ,  5E049DB11 ,  5F083FZ10 ,  5F083GA05 ,  5F083JA02 ,  5F083JA12 ,  5F083JA14 ,  5F083JA37 ,  5F083JA38 ,  5F083JA39