特許

J-GLOBAL ID：200903041892965696

CuInSe2 系薄膜太陽電池およびその製法

発明者： 伊藤 和人 ,  石田 典也 ,  菊地 英治 ,  光根 裕
出願人/特許権者： 同和鉱業株式会社
代理人 (1件)： 丸岡 政彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-139893
公開番号（公開出願番号）：特開平5-315633
出願日： 1992年05月01日
公開日（公表日）： 1993年11月26日
要約：

【要約】【目的】 CuInSe2 と裏面電極の界面での密着性不良に起因する電池特性劣化の問題を解決して、膜の剥離がなく、密着性に優れた経時変化のない薄膜太陽電池およびその製法を提供すること。【構成】 Mo基板上にスパッタ法でTiを1μm積層した後、CuとInを電着法でCu/Inのモル比が1.3となるように積層し、約1μmの厚さに成膜する。次いでこれをN2 +H2 混合ガス中5°C/分の昇温速度で400°Cまで昇温し、30分間保持した後Seガスを導入して2時間反応させCuInSe2 膜を形成し、その上にn層としてのCdS膜と窓層としてのInドープCdS膜を形成して太陽電池を形成する。

請求項（抜粋）：

カルコパイライト型結晶構造を有するCuInSe2 多結晶半導体薄膜とCdS、CdZnS等のII-VI族系半導体とによって形成される太陽電池において、裏面電極とCuInSe2 との間にTiからなる緩衝層を設けたことを特徴とする薄膜太陽電池。

IPC (2件)：

H01L 31/04 ,  C23C 14/06