特許

J-GLOBAL ID：200903041901483993

アナログスイッチ

発明者： ドゥク ジュー クワク
出願人/特許権者： エルジー セミコン カンパニー リミテッド
代理人 (1件)： 笹島 富二雄 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-251835
公開番号（公開出願番号）：特開平9-116409
出願日： 1996年09月24日
公開日（公表日）： 1997年05月02日
要約：

【要約】【課題】 アナログスイッチのターンオン抵抗値をプログラムに従い変更可能にする。【解決手段】 外部の制御信号S1 〜Sn を論理演算して伝送制御信号を発生する2つの伝送制御部10a、10bと、それら制御信号に従い入力アナログ信号Vinのターンオン抵抗特性を可変させる2つのターンオン抵抗特性可変部20a、20bと、該ターンオン抵抗特性可変部20a、20b及び前記アナログ入力ゲートSW2に接続され、ターンオン抵抗特性を有するアナログ信号を伝送制御部10a、10bから出力した伝送制御信号に従いアナログ出力ゲートSW1に伝送するターンオン抵抗特性伝送部30を備えた抵抗素子RD’と、によりアナログスイッチを構成する。

請求項（抜粋）：

ゲート電圧Vcを順次反転する2つのインバーターIN1、IN2と、パッドを経て入力したアナログ信号Vinを前記2つのインバーターIN1、IN2の出力信号に従い伝送するアナログ入力ゲートSW2と、該アナログ入力ゲートSW2に接続され、ターンオン抵抗特性を有し、アナログ信号を出力する抵抗素子RD’と、前記2つのインバーターIN1、IN2の出力信号に従い前記抵抗素子RD’の出力信号を伝送するアナログ出力ゲートSW1と、前記2つのインバーターIN1、IN2の出力信号に従い蓄積された電荷を相殺させ、前記アナログ出力ゲートSW1から出力されたアナログ信号Voutを外部に出力する電荷相殺素子CMと、を備えたアナログスイッチにおいて、外部からのn個の制御信号S1 〜Sn を論理演算して伝送制御信号を発生する2つの伝送制御部10a、10bと、前記n個の制御信号S1 〜Sn に従い入力したアナログ信号Vinのターンオン抵抗特性を可変させる2つのターンオン抵抗特性可変部20a、20bと、を設け、前記抵抗素子RD’は、前記2つのターンオン抵抗特性可変部20a、20bと前記アナログ入力ゲートSW2とに接続され、ターンオン抵抗特性を有したアナログ信号を前記2つの伝送制御部10a、10bから出力された伝送制御信号に従い前記アナログ出力ゲートSW1に伝送するターンオン抵抗特性伝送部30を備えたことを特徴とするアナログスイッチ。

IPC (2件)：

H03K 17/687 ,  H03K 19/173 101

FI (2件)：

H03K 17/687 G ,  H03K 19/173 101