特許

J-GLOBAL ID：200903041902905743

磁気抵抗効果素子

発明者： 猪俣 浩一郎 ,  斉藤 好昭
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 則近 憲佑
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-011573
公開番号（公開出願番号）：特開平5-206541
出願日： 1992年01月27日
公開日（公表日）： 1993年08月13日
要約：

【要約】【目的】 本発明は磁壁の発生を抑えることのできる磁気抵抗効果素子を提供することを目的とする。【構成】 本発明の磁気抵抗効果素子は、ともに磁気抵抗効果を示す2種類の積層膜を有し、第1の積層膜より第2の積層膜の飽和磁界が大きく、前記第1の積層膜の少なくとも端部に縦バイアス磁界を印加する前記第2の積層膜が積層されたことを特徴とする。

請求項（抜粋）：

ともに磁気抵抗効果を示す第1の積層膜と第2の積層膜を有し、第1の積層膜より第2の積層膜の飽和磁界が大きく、第1の積層膜の少なくとも端部に縦バイアス磁界を印加する第2の積層膜が積層されたことを特徴とする磁気抵抗効果素子。