特許

J-GLOBAL ID：200903041903645540

窒化物系III-V族化合物の結晶製造方法、窒化物系III-V族化合物結晶基板、窒化物系III-V族化合物結晶膜およびデバイスの製造方法

発明者： 森田 悦男
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 藤島 洋一郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-357325
公開番号（公開出願番号）：特開2001-176805
出願日： 1999年12月16日
公開日（公表日）： 2001年06月29日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】 製造が簡単で貫通転位の少ない良質なIII-V族化合物結晶基板およびIII-V族化合物結晶膜、それらを製造するための方法、およびそれらを用いたデバイスの製造方法を提供する。【課題手段】 基体11の表面に、III-V族化合物である例えばGaNをMOCVD法などにより成長させて下地結晶層12を形成したのち、この下地結晶層12をエッチングして形成された開口部12aからGaNを横方向成長させて中間結晶層14を形成し、この内部には、さらに、例えばAlGaNからなる内部層17を形成する。続いて、中間結晶層14をさらにエッチングし、形成された開口部14aからGaNを横方向成長させて表面結晶層16を形成する。この表面結晶層16の内部には、例えばAlGaNからなる内部層18を形成する。

請求項（抜粋）：

基体の表面に窒化物系III-V族化合物よりなる結晶層を形成する工程を含む結晶製造方法であって、前記結晶層に、その結晶層とは組成の異なる窒化物系III-V族化合物よりなる内部層を少なくとも一層設けるようにしたことを特徴とする窒化物系III-V族化合物の結晶製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/205 ,  H01L 33/00 ,  H01S 5/323

FI (3件)：

H01L 21/205 ,  H01L 33/00 C ,  H01S 5/323

Fターム (30件)：

5F041AA40 ,  5F041CA05 ,  5F041CA34 ,  5F041CA40 ,  5F041CA46 ,  5F041CA65 ,  5F041CA67 ,  5F041CA74 ,  5F041CB11 ,  5F045AA04 ,  5F045AB14 ,  5F045AB17 ,  5F045AF02 ,  5F045AF04 ,  5F045AF09 ,  5F045BB12 ,  5F045DA53 ,  5F045DB02 ,  5F073AA11 ,  5F073AA13 ,  5F073AA45 ,  5F073AA51 ,  5F073AA74 ,  5F073CA07 ,  5F073CB05 ,  5F073DA05 ,  5F073DA07 ,  5F073DA25 ,  5F073DA35 ,  5F073EA29