特許

J-GLOBAL ID：200903041904875540

MIS型半導体装置

発明者： 山崎 舜平 ,  竹村 保彦
出願人/特許権者： 株式会社半導体エネルギー研究所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-220104
公開番号（公開出願番号）：特開2000-058860
出願日： 1993年11月29日
公開日（公表日）： 2000年02月25日
要約：

【要約】【課題】 MIS型半導体素子の信頼性を向上せしめる。【解決手段】 基板上に形成されたアクティブマトリクス回路及びドライバーとを有するMIS型半導体装置であって、アクティブマトリクス回路は第1の薄膜トランジスタを有しており、ドライバーは第2の薄膜トランジスタを有しており、第1の薄膜トランジスタが有するLDD領域の幅は第2の薄膜トランジスタが有するLDD領域の幅よりも大きいことを特徴とするMIS型半導体装置。

請求項（抜粋）：

絶縁表面を有する基板と、前記基板上に形成されたアクティブマトリクス回路及びドライバーとを有するMIS型半導体装置であって、前記アクティブマトリクス回路は第1の薄膜トランジスタを有しており、前記ドライバーは第2の薄膜トランジスタを有しており、前記第1の薄膜トランジスタ及び前記第2の薄膜トランジスタは、活性領域と、前記活性領域に接するLDD領域と、前記LDD領域に接するソース領域及びドレイン領域とを有する半導体膜と、絶縁膜を介して前記活性領域上に形成された配線と、前記配線の少なくとも側面に形成された陽極酸化膜と、をそれぞれ有しており、前記第1の薄膜トランジスタが有するLDD領域の幅は前記第2の薄膜トランジスタが有するLDD領域の幅よりも大きいことを特徴とするMIS型半導体装置。

IPC (6件)：

H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/265 ,  H01L 21/8238 ,  H01L 27/092

FI (6件)：

H01L 29/78 616 A ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/265 602 B ,  H01L 21/265 602 C ,  H01L 27/08 321 E ,  H01L 29/78 617 A