特許

J-GLOBAL ID：200903041907784626

半導体装置

発明者： 角田 真由美
出願人/特許権者： 東芝ケミカル株式会社
代理人 (1件)： 諸田 英二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-089122
公開番号（公開出願番号）：特開平7-268099
出願日： 1994年04月04日
公開日（公表日）： 1995年10月17日
要約：

【要約】【構成】 本発明は、素子表面にポリイミド樹脂層(6) を形成した半導体装置において、前記ポリイミド樹脂層(6) が、(A) 3,3′,4,4′-ビフェニルテトラカルボン酸二無水物とパラフェニレンジアミンとのポリアミック酸溶液と、(B)ピロメリット酸二無水物と 4,4′-ジアミノジフェニルエーテルとのポリアミック酸溶液とを混合し、(A)、(B)のジアミン成分のうち 1〜30 mol%がジアミノシロキサンであり、ポリアミック酸全重量に対して、(B)のポリアミック酸溶液を20〜50重量%含有するポリアミック酸混合溶液を加熱硬化してなるものである。【効果】 本発明によれば、ポリイミド樹脂層(6) が製造プロセスに使用される強フッ酸に対しても十分耐えられる。

請求項（抜粋）：

半導体素子表面に直接又は他の絶縁層を介して、ポリイミド樹脂層を形成してなる半導体装置において、前記ポリイミド樹脂層が、(A) 3,3′,4,4′-ビフェニルテトラカルボン酸二無水物とパラフェニレンジアミンとを反応させて得られるポリアミック酸溶液と、(B)ピロメリット酸二無水物と 4,4′-ジアミノジフェニルエーテルを反応させて得られるポリアミック酸溶液とを混合したポリアミック酸混合溶液であって、前記(A)、(B)少なくともいずれかのジアミン成分のうち 1〜30 mol%が次の一般式化1で示されるジアミノシロキサンであり、【化1】(但し、式中R1 およびR2 は 2価の有機基を、R3 〜R6 は炭素数 1〜6 の炭化水素基を表し、n は 0又は12以下の整数を表す)ポリアミック酸全重量に対して、前記(B)のポリアミック酸溶液を20〜50重量%含有するように混合したポリアミック酸混合溶液を加熱硬化してなるポリイミド樹脂層であることを特徴とする半導体装置。

IPC (2件)：

C08G 73/10 NTF ,  H01L 21/312