特許

J-GLOBAL ID：200903041911423433

強誘電体素子

発明者： 川辺 武司
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (1件)： 野河 信太郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-124010
公開番号（公開出願番号）：特開平7-335771
出願日： 1994年06月06日
公開日（公表日）： 1995年12月22日
要約：

【要約】【目的】 誤動作を防止するとともに、高集積化をより一層図ることができ、更なる情報の多値記録を可能とする強誘電体素子を提供することを目的としている。【構成】 半導体基板と、該半導体基板に形成されたソース/ドレイン領域と、前記半導体基板上に形成されたゲート絶縁膜と、該ゲート絶縁膜上に形成されたゲート電極とからなり、前記ゲート絶縁膜が強誘電体膜によって形成され、前記ゲート電極が複数個に分割されており、ドレイン領域が、該ドレイン領域側のゲート電極の数に対応して分割されている強誘電体素子。

請求項（抜粋）：

半導体基板と、該半導体基板に形成されたソース/ドレイン領域と、前記半導体基板上に形成されたゲート絶縁膜と、該ゲート絶縁膜上に形成されたゲート電極とからなり、前記ゲート絶縁膜が強誘電体膜によって形成され、前記ゲート電極が複数個に分割されており、ドレイン領域が該ドレイン領域側のゲート電極の数に対応して分割されていることを特徴とする強誘電体素子。

IPC (6件)：

H01L 21/8247 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792 ,  H01L 21/8244 ,  H01L 27/11 ,  H01L 29/78

FI (3件)：

H01L 29/78 371 ,  H01L 27/10 381 ,  H01L 29/78 301 G