特許

J-GLOBAL ID：200903041911780503

結合層を備える磁気装置並びにそのような装置を製造及び作動させる方法

発明者： レンセン カース-ミシェル エイチ
出願人/特許権者： コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ
代理人 (1件)： 津軽 進 (外1名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-566141
公開番号（公開出願番号）：特表2003-526911
出願日： 2001年02月23日
公開日（公表日）： 2003年09月09日
要約：

【要約】GMR構造を含む磁気データ記憶システム又は磁気感知システムにおいて、上記GMR構造の場のオフセットのような固有の磁気又は磁気抵抗特性に影響を与える一連の構造が導入される。該一連の構造は、上記GMR構造から、Taのような高抵抗性金属材料により分離される。

請求項（抜粋）：

データ記憶システムにおいて、- 少なくとも第1強磁性層及び第2強磁性層を含むと共に、これらの層の間に少なくとも非磁性材料の分離層を備え、且つ、少なくとも磁気抵抗効果を有するような第1構造の層と、- 少なくとも1つの磁性層を含み、前記第1構造の少なくとも1つの固有磁気特性に影響を与える第2構造と、を含む一連の構造を有し、- 前記第2構造は少なくともスペーサ層により前記第1構造から分離され、前記非磁性材料は金属であり、 前記スペーサ層は高抵抗性金属材料を有すると共に、前記第2構造の前記第1構造に対する主に強磁性的結合を生じさせるが、前記第1構造の磁気抵抗効果の大きさには実質的に影響を与えないことを特徴とするデータ記憶システム。

IPC (4件)：

H01L 43/08 ,  G11B 5/39 ,  H01L 27/105 ,  H01L 43/12

FI (4件)：

H01L 43/08 Z ,  G11B 5/39 ,  H01L 43/12 ,  H01L 27/10 447

Fターム (5件)：

5D034AA02 ,  5D034BA03 ,  5F083FZ10 ,  5F083GA27 ,  5F083JA39