特許

J-GLOBAL ID：200903041914664202

抵抗率測定方法

発明者： 佐野 博之 ,  江原 幸冶
出願人/特許権者： 信越半導体株式会社
代理人 (1件)： 雨笠 敬
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-087001
公開番号（公開出願番号）：特開2001-274211
出願日： 2000年03月27日
公開日（公表日）： 2001年10月05日
要約：

【要約】【課題】 シリコン単結晶薄膜の厚さが異なる場合でも探針を交換することなく、且つ、安定して抵抗率を測定することができる抵抗率測定方法を提供する。【解決手段】 抵抗率測定装置に探針30を取り付け、予めシリコンウェーハに空打ちして各探針31、32、33、34のそれぞれの先端部31B、32B、33B、34Bが同一直線C上で平坦になるまで摩耗させた後、シリコン単結晶薄膜21の抵抗率を測定する。

請求項（抜粋）：

シリコン単結晶薄膜の抵抗率を四探針法により測定する抵抗率測定方法において、4本の探針の先端部が同一直線上で平坦になるまで予め摩耗させた探針を用いて、シリコン単結晶薄膜の抵抗率を測定することを特徴とする抵抗率測定方法。

IPC (4件)：

H01L 21/66 ,  G01N 27/04 ,  G01R 1/073 ,  G01R 27/02

FI (4件)：

H01L 21/66 L ,  G01N 27/04 Z ,  G01R 1/073 A ,  G01R 27/02 R

Fターム (30件)：

2G011AA03 ,  2G011AA15 ,  2G011AB01 ,  2G011AD01 ,  2G011AE03 ,  2G011AF06 ,  2G028AA04 ,  2G028BB11 ,  2G028BC02 ,  2G028CG02 ,  2G028DH03 ,  2G028FK01 ,  2G028HM08 ,  2G028HN11 ,  2G028KQ02 ,  2G060AD01 ,  2G060AE40 ,  2G060AF07 ,  2G060AG04 ,  2G060EA07 ,  2G060EB08 ,  2G060GA01 ,  2G060HA01 ,  2G060KA16 ,  4M106AA01 ,  4M106AA10 ,  4M106BA14 ,  4M106CA10 ,  4M106DH09 ,  4M106DH51