特許

J-GLOBAL ID：200903041925752308

半導体装置のスタンバイ電流不良の解析方法

発明者： 杉田 吉隆
出願人/特許権者： セイコー電子工業株式会社
代理人 (1件)： 林 敬之助
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-176153
公開番号（公開出願番号）：特開平7-014899
出願日： 1993年06月23日
公開日（公表日）： 1995年01月17日
要約：

【要約】【目的】 スタンバイ電流不良のある半導体装置において、電流発生箇所である発光箇所をエミッション顕微鏡を用いて調査し、微小リーク電流が流れていたり、広い範囲で電流が流れていたりするスタンバイ電流不良の故障メカニズムを正確に把握できる。【構成】 スタンバイ電流不良のある半導体装置において、電流発生箇所である発光箇所をエミッション顕微鏡にて調査し、プロッタ図により発光している回路の構成を解読する。さらに、故障箇所の推定を行い、SEM,FIBを用いて故障箇所を観察してこの不良半導体装置の故障メカニズムを解析するものである。

請求項（抜粋）：

スタンバイ電流不良箇所の調査をエミッション顕微鏡を用いて行うことを特徴とする半導体装置のスタンバイ電流不良の解析方法。