酸化物薄膜およびその成膜方法

発明者： ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：大垣孝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-300820
公開番号（公開出願番号）：特開平5-139737
出願日： 1991年11月15日
公開日（公表日）： 1993年06月08日
要約：

【要約】【目的】超電導特性を示す第1酸化物薄膜と絶縁特性または場合によっては半導体特性を示す第2酸化物薄膜との接合膜を、生産効率が上がり、しかも、膜質および膜特性が良くなる方法で、成膜する方法を提供する。【構成】同一の化学組成の第1および第2ターゲットを用いる。第1ターゲットのスパッタを外部の直流電圧電源からの電圧を用いたターゲットカソード電圧-100Vで行なって第1酸化物薄膜を成膜する。次に、その他の成膜条件を変えずに、第2ターゲットに切り替えると共に、ターゲットカソード電圧を自己バイアス電圧-50Vに切り替える。この切り替えにより、第1ターゲットのスパッタに続けて、時間的中断させずに、連続させて第2ターゲットのスパッタを行ない、第2酸化物薄膜を第1酸化物薄膜上に成膜する。

請求項（抜粋）：

超電導特性を示す第1酸化物薄膜と、通常は半導体特性を示しているが温度が非常に低いときには絶縁体として使用出来る第2酸化物薄膜とが接合して形成されており、およびこれら第1および第2酸化物薄膜の化学組成が同一であり、かつ、格子定数が実質的に同一であることを特徴とする酸化物薄膜。

IPC (8件)：

C01G 3/00 ZAA , C01G 1/00 , C04B 41/89 ZAA , C30B 29/22 501 , C30B 29/22 , H01B 13/00 565 , H01L 39/24 ZAA , H01B 12/06 ZAA

引用特許：

審査官引用 (5件)

特開平2-311398
特開昭64-020639
特開平1-106479

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