面発光レーザ

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：光石俊郎 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-009718
公開番号（公開出願番号）：特開平9-205245
出願日： 1996年01月24日
公開日（公表日）： 1997年08月05日
要約：

【要約】【課題】半導体基板と平行に反射ミラーを設け、基板と垂直方向にレーザ光を出射する、いわゆる面発光レーザにおいて、優れた特性を有する(n11)面(n=2〜7)基板上に形成した微細島構造を活性層に用いて、面発光レーザの例えば低閾値,電流、高速変調、低チャープ、温度特性の改善等の高性能化を図ることを課題する。【解決手段】 III-V族化合物半導体の(n11)面(n=2、3、4、5、6、7)基板11上に、基板よりバンドギャップが小さく、かつ格子定数が異なるIII-V族化合物半導体をエピタキシャル成長させることにより形成した円盤状の半導体からなる微細島構造13と、これを包み込むバンドギャップが大きくかつ格子定数が円盤状の半導体と異なるクラッド層12で構成してなり、該微細島構造13に電子及び正孔を注入して発振させる。

請求項（抜粋）：

III-V族化合物半導体の(n11)面(n=2、3、4、5、6、7)基板上に、基板よりバンドギャップが小さく、かつ格子定数が異なるIII-V族化合物半導体をエピタキシャル成長させることにより形成した円盤状の半導体からなる微細島構造と、これを包み込むバンドギャップが大きくかつ格子定数が円盤状の半導体と異なるクラッド層で構成してなり、該微細島構造に電子及び正孔を注入して発振させることを特徴とする面発光レーザ。

前のページに戻る