特許

J-GLOBAL ID：200903041936510470

化学的に増幅されたレジスト

発明者： クラウス エリアン ,  ライナー ロイシュナー ,  エワルト ギュンター
出願人/特許権者： シーメンス アクチエンゲゼルシヤフト
代理人 (1件)： 山口 巖 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-129514
公開番号（公開出願番号）：特開平10-301286
出願日： 1998年04月22日
公開日（公表日）： 1998年11月13日
要約：

【要約】【課題】 化学的に増幅されたレジストとして、露光又は電子ビーム照射との熱処理との時間間隔の問題を付加的処理工程又は経費をかけずに製造技術上受容可能の水準に高め、しかも高解像を可能としかつ高感度を有する液相からのシリル化を可能にするレジストを提供する。【解決手段】 カルボン酸無水物及び第3ブチルエステル基、第3ブトキシカルボニルオキシ基、テトラヒドロフラニル基又はテトラヒドロピラニル基を有するポリマー、露光又は電子ビーム照射の際にpKa値>0.5を有するスルホン酸を遊離する光反応性化合物、スルホン酸と可逆適に化学反応可能の化合物、及び溶媒を含む化学的に増幅されたレジストを形成する。

請求項（抜粋）：

カルボン酸無水物基及び第3ブチルエステル基、第3ブトキシカルボニルオキシ基、テトラヒドロフラニル基又はテトラヒドロピラニル基を有するポリマー、露光又は電子ビーム照射の際にpKa値>0.5を有するスルホン酸を遊離する光反応性化合物(造酸物)、スルホン酸と可逆的に化学反応可能の化合物(バッファ化合物)及び溶媒を含む化学的に増幅されたレジスト。

IPC (2件)：

G03F 7/039 601 ,  G03F 7/004 503

FI (2件)：

G03F 7/039 601 ,  G03F 7/004 503 A