特許
J-GLOBAL ID：200903041940976530
プラズマCVDによる合成方法およびこの方法により合成されたエピタキシャルAlN
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
野▲崎▼ 照夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-106110
公開番号（公開出願番号）：特開平6-293593
出願日： 1993年04月07日
公開日（公表日）： 1994年10月21日
要約：
【要約】【目的】 プラズマCVDによる合成方法において、広い範囲にて組成の安定した物質を合成できるようにする。【構成】 反応室AにAlBr3とN2の各気体を供給して混合気体とする。マイクロ波発振器により反応室Aにマイクロ波を与え、基板周囲の混合ガスをプラズマ化する。このとき、電磁石21と22により基板3付近に磁界を与える。この磁界により基板3付近のプラズマが活性化し、広い範囲にわたってイオンとエレクトロンが活性化し、NのイオンとAlとが結び付きやすくなる。その結果、基板3の表面全域にエピタキシャルAlN膜を合成できる。
請求項（抜粋）：
金属原子を有する気体を含む複数種の気体を、減圧された反応室内に供給して混合させ、この反応室内に設置された基板付近に磁界を与えながら、混合気体をマイクロ波により放電させてプラズマ化し、基板表面に金属を含む層を析出させることを特徴とするプラズマCVDによる合成方法。
IPC (4件)：
C30B 25/02
, C23C 16/06
, C23C 16/34
, C30B 29/38
