特許

J-GLOBAL ID：200903041942221154

半導体装置及びその製造方法

発明者： 石橋 晃 ,  小川 正道 ,  船戸 健次 ,  新田 幸代
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 杉浦 正知
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-216468
公開番号（公開出願番号）：特開2001-077477
出願日： 1990年07月23日
公開日（公表日）： 2001年03月23日
要約：

【要約】【課題】 基板からの選択成長により成長した半導体層を用いた半導体装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】 基板1の一主面に複数の選択成長領域を形成し、MOCVD法などにより、これらの複数の選択成長領域から半導体層を成長させ、この半導体層を用いて素子を形成する。

請求項（抜粋）：

基板の一主面に複数の選択成長領域が形成され、上記複数の選択成長領域から半導体層が成長していることを特徴とする半導体装置。

IPC (2件)：

H01S 5/323 ,  H01L 21/205

FI (2件)：

H01S 5/323 ,  H01L 21/205

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開平2-165679
  
• 特開平2-137316
  
• 特開昭63-299111
  
• 特開平4-034920