特許

J-GLOBAL ID：200903041942232660

半導体レーザ

発明者： 岡安 雅信 ,  中尾 正史
出願人/特許権者： 日本電信電話株式会社
代理人 (1件)： 吉田 精孝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-066489
公開番号（公開出願番号）：特開平6-283801
出願日： 1993年03月25日
公開日（公表日）： 1994年10月07日
要約：

【要約】【目的】 高出力で且つ高信頼な半導体レーザを提供する。【構成】 半導体基板20に形成された両側に溝21,22を有するストライプ状のリッジ23上に半導体多層膜よりなる光導波路が形成された半導体レーザにおいて、共振器長Laのうち、主として光を取出す側の端面からの距離Le1の領域におけるリッジ幅dwe1と、他方の端面からの距離Le2の領域におけるリッジ幅dwe2と、共振器中央部の領域(領域長La-Le1-Le2)におけるリッジ幅dwc とが、dwc ≦dwe2及びdwc <dwe1なる関係を満足する如く構成することにより、共振器端面の発光層のバンドギャップが共振器中央部の発光層のバンドギャップより顕著に大きくなり、共振器端面の発光層が活性領域である共振器中央部の発光層からの発振波長に対して透明となる、NAM構造が実現される。

請求項（抜粋）：

半導体基板に形成された両側に溝を有するストライプ状のリッジ上に半導体多層膜よりなる光導波路が形成された半導体レーザにおいて、共振器長Laのうち、主として光を取出す側の端面からの距離Le1の領域におけるリッジ幅dwe1と、他方の端面からの距離Le2の領域におけるリッジ幅dwe2と、共振器中央部の領域(領域長La-Le1-Le2)におけるリッジ幅dwcとが、dwc ≦dwe2及びdwc <dwe1なる関係を満足する如く構成したことを特徴とする半導体レーザ。