ナノワイヤ配列基板の製造方法及びこれを用いた電気素子の製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：山下穣平 , 志村博 , 永井道雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-352569
公開番号（公開出願番号）：特開2007-158117
出願日： 2005年12月06日
公開日（公表日）： 2007年06月21日
要約：

【課題】基板に対するナノワイヤの結合力を向上させることができ、簡便でパターンニング性に優れたナノワイヤ配列基板の製造方法を提供する。【解決手段】表面に官能基2が付された基板3を用意し、ナノワイヤ1を含有する溶液と基板3の表面とを接触させて、ナノワイヤ1と基板3とを官能基2を介して結合させる。ナノワイヤ1は基板3の表面に沿って延びて基板3と結合せしめられる。官能基2を基板1の表面の一部の領域にのみ付することで、ナノワイヤ1を基板3の一部の領域に選択的に結合させることができる。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

基板上にナノワイヤを配列してなるナノワイヤ配列基板を製造する方法であって、ナノワイヤ及び基板を用意し、前記ナノワイヤを含有する溶液と前記基板の表面とを接触させて、前記ナノワイヤと基板とを官能基を介して結合させることを特徴とする、ナノワイヤ配列基板の製造方法。

IPC (7件)：

H01L 29/786 , B82B 3/00 , H01L 21/336 , H01L 51/05 , H01L 51/30 , H01L 51/40 , H01L 29/06

FI (8件)：

H01L29/78 618B , B82B3/00 , H01L29/78 618A , H01L29/28 100A , H01L29/28 250E , H01L29/28 310E , H01L29/06 601N , H01L29/06 601L

Fターム (51件)：

5F110AA16 , 5F110AA26 , 5F110BB02 , 5F110BB04 , 5F110CC05 , 5F110DD01 , 5F110DD02 , 5F110DD05 , 5F110EE01 , 5F110EE02 , 5F110EE03 , 5F110EE04 , 5F110EE06 , 5F110EE07 , 5F110EE08 , 5F110EE09 , 5F110EE42 , 5F110EE43 , 5F110EE44 , 5F110FF01 , 5F110FF02 , 5F110FF03 , 5F110FF22 , 5F110FF26 , 5F110FF27 , 5F110GG01 , 5F110GG02 , 5F110GG03 , 5F110GG04 , 5F110GG22 , 5F110GG24 , 5F110GG32 , 5F110GG42 , 5F110GG44 , 5F110HK01 , 5F110HK02 , 5F110HK03 , 5F110HK04 , 5F110HK06 , 5F110HK07 , 5F110HK08 , 5F110HK09 , 5F110HK10 , 5F110HK13 , 5F110HK14 , 5F110HK16 , 5F110HK21 , 5F110HK32 , 5F110HK33 , 5F110NN73 , 5F110QQ06

引用特許：

出願人引用 (1件)

米国特許第6872645号明細書

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