特許

J-GLOBAL ID：200903041958170380

磁気抵抗効果素子及びその製造方法

発明者： 五島 滋雄 ,  目黒 賢一 ,  高橋 宏昌
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 作田 康夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-077490
公開番号（公開出願番号）：特開2003-273421
出願日： 2002年03月20日
公開日（公表日）： 2003年09月26日
要約：

【要約】【課題】 トンネル障壁層を薄膜化しても、低抵抗で且つ高抵抗変化率が維持されている磁気抵抗効果素子を提供する。【解決手段】 固定層と、固定層上に形成されたトンネル障壁層と、トンネル障壁層上に形成された自由層とを備え、トンネル障壁層が、結晶性酸化Alを含有することにより、トンネル障壁層を超薄膜化しても、トンネル障壁層高さの低下及びピンホール密度の増大によるリークパスの増大が抑止される。

請求項（抜粋）：

第1の磁性層と、前記第1の磁性層上に形成されたトンネル障壁層と、前記トンネル障壁層上に形成された第2の磁性層とを備える磁気抵抗効果素子において、前記トンネル障壁層は、結晶性酸化Alを含有することを特徴とする磁気抵抗効果素子。

IPC (3件)：

H01L 43/08 ,  G01R 33/09 ,  G11B 5/39

FI (3件)：

H01L 43/08 Z ,  G11B 5/39 ,  G01R 33/06 R

Fターム (8件)：

2G017AA01 ,  2G017AD55 ,  2G017AD65 ,  5D034BA03 ,  5D034BA05 ,  5D034BA15 ,  5D034CA08 ,  5D034DA07