特許
J-GLOBAL ID:200903041959404520

セラミツクス配線基板及びその製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 足立 勉
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平3-238054
公開番号(公開出願番号):特開平5-074979
出願日: 1991年09月18日
公開日(公表日): 1993年03月26日
要約:
【要約】【目的】 簡単な製造工程によって、基板表面に耐熱性に優れた平滑なコーティング層を形成できるとともに、ビアホール等の導通を十分に確保できるセラミックス配線基板及びその製造方法を提供すること。【構成】 セラミックス基板2に設けられたビアホール3の表面に、Niメッキ層6を備えるとともに、このNiメッキ層6の以外のセラミックス基板2の表面には、SiO2及びAl2O3からなるコーティング層4が形成されている。
請求項(抜粋):
セラミックス基板に設けられたビアホールが基板表面に露出した表面導電層を備えるとともに、該表面導電層以外の前記セラミックス基板の表面に無機材料からなるコーティング層を備えたことを特徴とするセラミックス配線基板。
IPC (4件):
H01L 23/15 ,  H01L 23/12 ,  H05K 3/28 ,  H05K 3/46
FI (2件):
H01L 23/14 C ,  H01L 23/12 D
引用特許:
審査官引用 (1件)
  • 特開平4-280657

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