特許

J-GLOBAL ID：200903041972421905

半導体装置およびその製造方法

発明者： 戎谷 隆 ,  栂嵜 隆 ,  清水 征三郎 ,  高橋 邦明
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-271192
公開番号（公開出願番号）：特開平9-115911
出願日： 1995年10月19日
公開日（公表日）： 1997年05月02日
要約：

【要約】【目的】 メッキ法を使用せずに、半導体装置の接続パッド上に、バリアメタル層及び突起電極を形成、信頼性の高い半導体装置を得る。【構成】 バリアメタル層またはハンダ材料層を、弾性を有する樹脂シート上に配置し、雄型を用いて樹脂シート上に打ち抜き、半導体装置の接続パッドと位置合せして接続パッド上に転写する。

請求項（抜粋）：

第1の金属を含む複数の接続パッドと該接続パッド上に形成された接合層とを有する半導体装置の製造方法において、弾性を有する転写用基材シート上に、前記第1の金属と固相拡散反応し得る第2の金属を含む接合層を配置し、雄型を用いて、該接合層側から転写用基材シートへ打ち抜くことにより、型抜きされた接合層を有する転写シートを形成する工程と、型抜きされた接合層を、前記接続パッドと位置合せする工程と、前記転写用基材シート側から加熱、加圧することにより、型抜きされた接合層を、前記接続パッド上に転写すると共に、前記第1の金属及び前記第2の金属間に固相拡散反応を起こし、前記接続パッド上に前記接合層を接合する工程を具備することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (2件)：

H01L 21/321 ,  H01L 21/60 311

FI (4件)：

H01L 21/92 604 F ,  H01L 21/60 311 S ,  H01L 21/92 602 E ,  H01L 21/92 603 E

引用特許：

出願人引用 (4件)

• 特開平4-152682
  
• 半田バンプ形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-102572   出願人：日本電気株式会社
• 接合金属シート
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-035933   出願人：日本電気株式会社
• フリップチップバンプ及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-329370   出願人：日本電気株式会社