特許

J-GLOBAL ID：200903041972476564

半導体装置の作製方法

発明者： 張 宏勇 ,  大沼 英人 ,  竹村 保彦
出願人/特許権者： 株式会社半導体エネルギー研究所
代理人 (1件)： 加藤 恭介
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-356755
公開番号（公開出願番号）：特開平9-181002
出願日： 1993年07月27日
公開日（公表日）： 1997年07月11日
要約：

【要約】【課 題】 熱アニールによって結晶化しなかった部分も結晶化され、緻密な珪素膜を形成する。【解決手段】 非単結晶珪素膜に選択的に結晶化を助長させる金属元素を添加した後、熱アニールによって結晶化を助長する。次に、ハロゲン化水素を含む水素雰囲気中で光アニールを行う。その後、上記非単結晶珪素膜は、金属元素が含有された部分が除去される。

請求項（抜粋）：

基板上に非単結晶珪素膜を形成する工程と、前記非単結晶珪素膜に選択的に結晶化を助長させる金属元素を含有させる工程と、前記非単結晶珪素膜を加熱アニールする工程と、前記非単結晶珪素膜をフッ素、塩素、または臭素の化合物を含む水素雰囲気中、またはハロゲン化水素を含む水素雰囲気中で光アニールする工程と、を有する半導体装置の作製方法。

IPC (6件)：

H01L 21/20 ,  H01L 21/26 ,  H01L 21/268 ,  H01L 27/12 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/336

FI (6件)：

H01L 21/20 ,  H01L 21/268 Z ,  H01L 27/12 R ,  H01L 21/26 L ,  H01L 29/78 613 A ,  H01L 29/78 627 G