特許

J-GLOBAL ID：200903041976579414

半導体キャビティ充填法

発明者： ロバート エィチ.ヘイブマン ,  ギリシュ エイ.ディクシット
出願人/特許権者： テキサス インスツルメンツ インコーポレイテツド
代理人 (1件)： 浅村 皓 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-323353
公開番号（公開出願番号）：特開平8-264652
出願日： 1995年12月12日
公開日（公表日）： 1996年10月11日
要約：

【要約】【課題】 集積回路中に形成されるサブ0.5ミクロン寸法の開口部(ビアやトレンチ)を充填するための方法を得る。【解決手段】 半導体母体中に形成された開口部の開放端を覆って金属を堆積させ、前記半導体母体を約250°Cと約450°Cとの間の温度に加熱し、前記半導体母体を約250°Cと約450°Cとの間の温度に保持したまま、前記金属に対して圧力を加えて前記金属を変形させ、前記金属を前記開口部中へ押し込むことによって前記開口部を前記金属で以て本質的に充填する。

請求項（抜粋）：

半導体開口部を充填するための方法であって、半導体母体であって、表面を有し、更に前記表面から遠ざかるように前記母体中へ少なくとも部分的に延びて、1つの開放端を有する少なくとも1個の開口部を有する半導体母体を用意すること、前記開口部の開放端へ金属を供給すること、前記半導体母体を約250°Cと約450°Cとの間の温度に加熱すること、および前記半導体母体を約250°Cと約450°Cとの間の温度に保持しながら、前記金属に対して圧力を加えて前記金属を変形させ、前記金属を前記開口部中へ方向付けて前記開口部を前記金属で以て本質的に充填すること、を含む方法。

IPC (3件)：

H01L 21/768 ,  H01L 21/28 301 ,  H01L 21/28

FI (3件)：

H01L 21/90 A ,  H01L 21/28 301 L ,  H01L 21/28 301 R