特許

J-GLOBAL ID：200903041978866704

チップ部品の加工方法及びその装置

発明者： 井本 克之
出願人/特許権者： 日立電線株式会社
代理人 (1件)： 絹谷 信雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-014091
公開番号（公開出願番号）：特開2001-203176
出願日： 2000年01月19日
公開日（公表日）： 2001年07月27日
要約：

【要約】【課題】 レーザビーム照射による熱の影響が少なく、割断速度が速いチップ部品の加工方法及びその装置を提供する。【解決手段】 レーザビーム22-2の照射された領域4の両側面の冷却領域5-1、5-2か、あるいは両側面及び後方面の冷却領域5に冷却ガスを吹き付けつつ基板1を矢印6方向に移動させて割断することにより、レーザビーム照射領域4が急速に高温状態になると共に、そのレーザビーム照射領域4の両側面か、あるいは両側面及び後方面が低温状態になる。この結果、基板1の割断亀裂線3に直交した方向の温度分布は極めて急峻になり、その温度分布によって応力分布も急峻となり、結果的に割断亀裂線3の直線性を向上させることができると共に、より大きな圧縮応力が作用し、割断速度を速くすることができる。

請求項（抜粋）：

チップ部品となる被加工物表面の一端から他端に向ってレーザビームを照射して上記被加工物に直線状の亀裂を形成することにより上記被加工物を割断分離させるチップ部品の加工方法において、上記レーザビームの照射された領域の両側面か、あるいは両側面及び後方面に冷却ガスを吹き付けつつ上記被加工物を割断することを特徴とするチップ部品の加工方法。

IPC (2件)：

H01L 21/301 ,  B23K 26/00 320

FI (2件)：

B23K 26/00 320 E ,  H01L 21/78 B

Fターム (6件)：

4E068AE01 ,  4E068AJ04 ,  4E068CH00 ,  4E068CH02 ,  4E068CJ05 ,  4E068DA09