半導体製造装置および半導体製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：金田暢之 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-290632
公開番号（公開出願番号）：特開2002-100573
出願日： 2000年09月25日
公開日（公表日）： 2002年04月05日
要約：

【要約】【課題】パーティクルが半導体基板1上に付着して半導体基板1の処理特性を損なうことを防止する。【解決手段】半導体基板1を冷却するために半導体基板1の下面に冷却用媒体ガスを吹き付けると、冷却用媒体ガスが半導体基板1の周囲から処理室7内に放出され、その際に半導体基板1の周辺部に付着した堆積膜や滞留した異物を巻き上げてパーティクルを発生させる。これに対して、ステージ5に熱伝導率が高い材料を用い、ステージ5内の冷却用媒体通路12内に冷却用媒体を流してステージ5を冷却することで、熱が半導体基板1からステージ5に伝達されるようにして半導体基板1を間接的に良好に冷却することができ、冷却用媒体ガスによって処理室7内へパーティクルを発生させることがないので、パーティクルの発生を低減できる。

請求項（抜粋）：

内部を清浄な状態に保つように実質的に密封可能な処理室と、該処理室内に配置されており、処理対象となる半導体基板が載置されるステージとを有し、前記ステージ上の前記半導体基板に所定の処理を行っている時に該半導体基板を冷却する半導体製造装置であって、前記ステージが、熱伝導率が高い材料から構成されており、前記ステージを冷却する冷却用媒体を前記処理室外のみで流通させる冷却用媒体通路を有する半導体製造装置。

IPC (4件)：

H01L 21/205 , C23C 16/44 , H01L 21/3065 , H01L 21/68

FI (4件)：

H01L 21/205 , C23C 16/44 B , H01L 21/68 R , H01L 21/302 B

Fターム (45件)：

4K030CA04 , 4K030FA03 , 4K030GA02 , 4K030KA26 , 4K030KA45 , 4K030LA15 , 5F004AA14 , 5F004AA15 , 5F004AA16 , 5F004BA05 , 5F004BB13 , 5F004BB20 , 5F004BB22 , 5F004BB29 , 5F004CA04 , 5F004CA09 , 5F031CA02 , 5F031HA02 , 5F031HA16 , 5F031HA18 , 5F031HA35 , 5F031HA38 , 5F031HA39 , 5F031MA28 , 5F031MA29 , 5F031MA32 , 5F031NA04 , 5F031NA05 , 5F031PA26 , 5F045AA08 , 5F045BB15 , 5F045EB05 , 5F045EE04 , 5F045EF05 , 5F045EF20 , 5F045EH06 , 5F045EH14 , 5F045EH20 , 5F045EJ03 , 5F045EJ05 , 5F045EJ10 , 5F045EM02 , 5F045EM04 , 5F045EM05 , 5F045EM09

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