特許
J-GLOBAL ID:200903041988757431

半導体ウエハ処理システムのための複合体診断ウエハ

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 長谷川 芳樹 (外4名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平7-283544
公開番号(公開出願番号):特開平8-213374
出願日: 1995年10月31日
公開日(公表日): 1996年08月20日
要約:
【要約】【課題】 半導体ウエハ処理システム内でイオン電流とイオンエネルギーを実質的に同時に測定せしめる。【解決手段】 半導体ウエハと同じ寸法を有するプラシーボウエハを有する複合体診断ウエハ。プラシーボウエハの一方の面には、1つ以上のイオン電流プローブと1つ以上のイオンエネルギーアナライザが固定される。そして、アナライザとプローブに接続された測定具が、半導体ウエハ処理システム内でプラズマの発生中に、プラシーボウエハ上の様々な場所でイオン電流とイオンエネルギーを決定する。
請求項(抜粋):
1つのプラシーボウエハと、前記プラシーボウエハ上に載置された1つのイオン電流プローブと、前記プラシーボウエハ上に載置された1つのイオンエネルギーアナライザとを備える診断ウエハ。
IPC (3件):
H01L 21/3065 ,  H01L 21/66 ,  H05H 1/00

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