特許

J-GLOBAL ID：200903041993714910

半導体装置の製造方法

発明者： 丸尾 豊
出願人/特許権者： セイコーエプソン株式会社
代理人 (1件)： 鈴木 喜三郎 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-272759
公開番号（公開出願番号）：特開平5-109766
出願日： 1991年10月21日
公開日（公表日）： 1993年04月30日
要約：

【要約】【構成】ゲート酸化膜の熱酸化を複数回に分けて行い、その中間にMOSトランジスタのしきい値電圧調整用のイオン注入と不活性ガス中で熱処理を行った後再度、熱酸化を行い、前記半導体基板の素子形成領域上に所望の膜厚のゲ-ト絶縁膜を設ける。【効果】不活性ガス中で熱処理によりシリコン基板とゲート絶縁膜の界面の凹凸を緩和し、また、MOSトランジスタのしきい値電圧調整用のイオン注入時の損傷を快ふくさせることにより、ゲート絶縁膜中の欠陥によって起るゲート絶縁膜の電流リークおよび絶縁破壊の発生は低減され、デバイスの故障が起き難くなり信頼性の向上が期待できる。

請求項（抜粋）：

半導体基板の素子形成領域上に熱酸化によりゲ-ト絶縁膜を形成する工程と、前記ゲート絶縁膜をとうしてMOSトランジスタのしきい値電圧調整するためのイオン注入を行う工程と、その後、不活性ガス中で熱処理を行う工程と、再度、熱酸化を行い、前記半導体基板の素子形成領域上に所望の膜厚のゲ-ト絶縁膜を設ける工程を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (5件)：

H01L 21/336 ,  H01L 29/784 ,  H01L 21/265 ,  H01L 27/088 ,  H01L 21/318

FI (5件)：

H01L 29/78 301 P ,  H01L 21/265 ,  H01L 21/265 H ,  H01L 27/08 102 C ,  H01L 29/78 301 G