特許
J-GLOBAL ID：200903041994188589
半導体加速度センサ
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-209581
公開番号（公開出願番号）：特開平10-048246
出願日： 1996年08月08日
公開日（公表日）： 1998年02月20日
要約：
【要約】【課題】小型かつ高感度の容量式が速度センサを実現する。【解決手段】カンチレバーやブリッジ等の可動電極の質量体を高密度の金属シリサイド層で形成する。
請求項（抜粋）：
シリコン半導体基板上に形成された加速度を検出するための容量式センサにおいて、少なくとも一つの固定電極と、前記固定電極に対面し受けた加速度に応答して移動可能な可動電極とよりなるコンデンサとを備え、前記可動電極の質量体は金属シリサイドを主体とする層により形成されていることを特徴とする半導体加速度センサ。
IPC (2件)：
FI (2件)：
G01P 15/125
, H01L 29/84 Z
