特許

J-GLOBAL ID：200903041997875137

発光ダイオード

発明者： 後藤 広将 ,  今井 秀秋
出願人/特許権者： 旭化成工業株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-224110
公開番号（公開出願番号）：特開平6-077537
出願日： 1992年08月24日
公開日（公表日）： 1994年03月18日
要約：

【要約】【構成】 透明絶縁性基板上にn型半導体層、p型およびi型半導体層から選ばれた2種以上の組合せからなる発光層を少なくも一つ有し、かつ半導体層の所定の部位に発光層に電圧を印加するための電極を有するプレ-ナ構造の素子チップにおいて、一つの電極がリ-ド部材と直接に接続され、かつ他の少なくとも一つの電極が他のリ-ド部材とワイヤ-により接続されている発光ダイオ-ド【効果】 電極間の接触を少なく、安定した高性能のLEDを得ることが可能になる。

請求項（抜粋）：

透明絶縁性基板上にn型半導体層、p型およびi型半導体層から選ばれた2種以上の組合せからなる発光層を少なくとも一つ有し、かつ半導体層の所定の部位に発光層に電圧を印加するための電極を有するプレーナ構造の素子チップにおいて、一つの電極がリード部材と直接に接続され、かつ他の少なくとも一つの電極が他のリ-ド部材とワイヤ-により接続されていることを特徴とする発光ダイオード。