特許
J-GLOBAL ID：200903041999889631
リフトオフ法によるパターン形成方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
秋元 輝雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-244036
公開番号（公開出願番号）：特開平5-062948
出願日： 1991年08月30日
公開日（公表日）： 1993年03月12日
要約：
【要約】【目的】 従来のレジスト膜が形成された基板面にパターニング膜を成膜し、その後に前記レジスト膜を除去することで目的とするパターンを形成するリフトオフ法によるパターン形成方法においては、前記レジスト膜の側面に付着したパターニング膜が残余し短絡事故などを生ずるものとなっていた。【構成】 本発明によりレジスト膜1の除去工程の以前にパターニング膜2にライトエッチング工程を行うリフトオフ法によるパターン形成方法とすることでレジスト膜1の側面1aに付着するパターニング膜2のエッジ部2aを予めに除去することで残余を生じないものとして課題を解決するものである。
請求項（抜粋）：
予めに所定形状としたレジスト膜が形成された基板面にパターニング膜を成膜し、その後に前記レジスト膜を除去することで目的とするパターンを形成するリフトオフ法によるパターン形成方法において、前記レジスト膜の除去工程の以前に前記パターニング膜にライトエッチング工程を行うことを特徴とするリフトオフ法によるパターン形成方法。
IPC (2件)：
H01L 21/302
, G03F 7/26 513
