スイッチング回路装置のためのゲート電圧制限回路

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：伊藤武久 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-185500
公開番号（公開出願番号）：特開平10-080132
出願日： 1997年07月10日
公開日（公表日）： 1998年03月24日
要約：

【要約】【課題】短絡耐性を達成するために、ゲート電圧制限を考慮しつつ並列接続された半ブリッジ(ブリッジ回路の左右の半分の部分)に用いられているスイッチング素子の簡略なゲート制御を提供する。【解決手段】ゲート抵抗器(Ron)に直列に、カソードが該ゲート抵抗器(Ron)に接続されたダイオードを接続し、抵抗器(RE)に対して並列に、それぞれ1つのクランピング・ダイオードを、そのカソードがエミッタ側になるように接続し、各ゲートにカソードがゲート電源側となるようにドレイン・ダイオードを接続する。

請求項（抜粋）：

スイッチング・トランジスタ、好ましくは絶縁ゲート・バイポーラ・トランジスタとしての電力半導体素子と、並列接続に適したゲート制御部と、ターン・オン(Ron)及びターン・オフ(Roff)用の別個に設けられたゲート抵抗器と、短絡保護動作を実現するために各電力スイッチング素子に対し個別に設けられた補助抵抗器(RE)とを備え、駆動回路の接地端子が、前記補助抵抗器の共通接続点に接続されている回路装置において、前記ゲート抵抗器(Ron)に直列に、カソードが該ゲート抵抗器(Ron)に接続されたダイオードを接続し、前記抵抗器(RE)に対して並列にそれぞれ1つのクランピング・ダイオードを、そのカソードがエミッタ側になるように接続し、各ゲートにカソードがゲート電源側となるようにドレイン用ダイオードを接続したことを特徴とする回路装置。

IPC (6件)：

H02M 1/08 , H02M 1/08 351 , H02H 7/12 , H02M 3/00 , H03K 17/00 , H03K 17/08

FI (6件)：

H02M 1/08 A , H02M 1/08 351 Z , H02H 7/12 C , H02M 3/00 S , H03K 17/00 D , H03K 17/08 C

引用特許：

出願人引用 (4件)

特開平2-280659
特開平3-286619
電力素子の駆動回路
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-210025 出願人：東芝エフエーシステムエンジニアリング株式会社, 株式会社東芝

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