特許

J-GLOBAL ID：200903042010777305

半導体センサ及びその製造方法

発明者： 広瀬 満
出願人/特許権者： 日本電産コパル電子株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-292738
公開番号（公開出願番号）：特開2003-098025
出願日： 2001年09月26日
公開日（公表日）： 2003年04月03日
要約：

【要約】【課題】 120°C以上の高温環境下にあっても漏れ電流がほとんど発生することがなく、ピエゾ抵抗素子の深さ方向に対する不純物濃度の調整が容易な、高感度な半導体センサ及びその製造方法を提供する。【解決手段】 シリコン基板上に形成した酸化膜を、ピエゾ抵抗素子を形成する部分を残して除去した後、所望の不純物濃度のn型あるいはp型のエピタキシャル層を成長させることにより、前記酸化膜上以外の部分には単結晶シリコンを、前記酸化膜上には多結晶シリコンを各々成長させ、この酸化膜上に形成された多結晶シリコンを除去した状態で、酸化膜上以外の部分から成長した単結晶シリコンが前記酸化膜上を覆い所望の厚さになるまでエピタキシャル層を成長させることにより、前記酸化膜上に所望の不純物濃度の単結晶シリコンを形成し、この単結晶シリコンをピエゾ抵抗素子とすることにより半導体センサを構成する。

請求項（抜粋）：

シリコン基板に形成した起歪部にピエゾ抵抗素子を配置した半導体センサにおいて、シリコン基板上に酸化膜を形成し、この酸化膜をピエゾ抵抗素子を形成する部分を残して除去した後、所望の不純物濃度のn型あるいはp型のエピタキシャル層を成長させることにより、前記酸化膜上以外の部分には単結晶シリコンを、前記酸化膜上には多結晶シリコンを各々成長させ、この酸化膜上に形成された多結晶シリコンを除去した状態で、酸化膜上以外の部分から成長した単結晶シリコンが前記酸化膜上を覆い所望の厚さになるまでエピタキシャル層を成長させることにより、前記酸化膜上に所望の不純物濃度の単結晶シリコンを形成し、酸化膜上以外の部分に成長した単結晶シリコンを除去した後、前記酸化膜上に形成された単結晶シリコンを絶縁膜で覆うことにより、この単結晶シリコンをピエゾ抵抗素子としたことを特徴とする半導体センサ。

IPC (3件)：

G01L 9/04 101 ,  G01P 15/12 ,  H01L 29/84

FI (3件)：

G01L 9/04 101 ,  G01P 15/12 ,  H01L 29/84 B

Fターム (24件)：

2F055AA40 ,  2F055BB20 ,  2F055CC02 ,  2F055DD05 ,  2F055EE14 ,  2F055FF01 ,  2F055FF38 ,  2F055GG01 ,  4M112AA01 ,  4M112CA03 ,  4M112CA04 ,  4M112CA09 ,  4M112CA11 ,  4M112CA13 ,  4M112DA02 ,  4M112DA06 ,  4M112DA07 ,  4M112EA03 ,  4M112EA04 ,  4M112EA06 ,  4M112EA07 ,  4M112EA10 ,  4M112EA11 ,  4M112FA01