特許
J-GLOBAL ID：200903042015092440
ダイヤモンドウェハのチップ化方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
長谷川 芳樹 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-182713
公開番号（公開出願番号）：特開2000-021819
出願日： 1998年06月29日
公開日（公表日）： 2000年01月21日
要約：
【要約】【課題】 ダイヤモンド層を有する一枚のウェハに製作した多数の素子を、性能を保持したまま良好に切断・分離することのできる素子のチップ化方法を提供する。【解決手段】 Si基板1上に気相合成されたダイヤモンド層2と、さらにその上に形成された複数の素子31、32とを有するダイヤモンドウェハ5を、基板ごと一素子毎に切断してチップ化するダイヤモンドウェハのチップ化方法であって、基板1の素子31、32間に、これらの素子形成面と反対の面から、基板厚さより浅く、基板厚さの半分より深い深さの溝を形成するハーフカット工程と、この溝の底面4にレーザを照射して、残りの基板1とダイヤモンド層2とをこの溝部分より細い幅で除去することにより素子31、32を一素子毎に切り離すフルカット工程と、を備えるチップ化方法。
請求項（抜粋）：
基板上に気相合成ダイヤモンド層と、前記気相合成ダイヤモンド層上に形成された複数の素子とを有するダイヤモンドウェハを、基板ごと一素子毎に切断してチップ化するダイヤモンドウェハのチップ化方法において、前記基板の前記素子間に、前記素子形成面と反対の面から、前記基板厚さより浅く、前記基板厚さの半分より深い深さの溝を形成するハーフカット工程と、前記溝の底面にレーザを照射して、残りの前記基板と前記気相合成ダイヤモンド層とを前記溝部分より細い幅で除去することにより一素子毎に切り離すフルカット工程と、を備えているダイヤモンドウェハのチップ化方法。
FI (2件)：
H01L 21/78 Q
, H01L 21/78 B
