特許

J-GLOBAL ID：200903042015750898

マグネトロンにおけるターゲットの腐食とスパッタリングの制御方法

発明者： デ・ボッシャー,ビルメルト ,  リーベンス,フーゴ
出願人/特許権者： シンバコ・ナムローゼ・フエンノートシャップ
代理人 (1件)： 深見 久郎 (外5名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-545174
公開番号（公開出願番号）：特表2002-512311
出願日： 1999年04月14日
公開日（公表日）： 2002年04月23日
要約：

【要約】回転円筒形ターゲットと静止している磁石アセンブリ(22、24*)を有するスパッタリング・マグネトロンが記載されている。前記磁石アセンブリ(22、24*)は、前記ターゲットの表面に長いレーストラックを作るようにされている。前記長いレーストラックは、それの長手方向のほぼ全域に亙ってほぼ平行なトラックを有し、両端は端部部分(22’)によって終わっている。前記レーストラックのトラックの間の間隔は、基板の上へのスパッタリングに実質的影響を与えるように局所的に増加させられている。その間隔の増加は、端部においてであったり、平行トラック部分であったりする。間隔の増加は、例えば、レーストラックの端部部分の下のターゲットの腐食をより一層平準にし、基板の上のコーティングをより一層平準にする。

請求項（抜粋）：

回転ターゲットと静止している磁石アセンブリを備えるスパッタリング・マグネトロンであって、前記磁石アセンブリが前記ターゲットの表面に長いプラズマ・レーストラックを作るように作られ、前記長いレーストラックがその長手方向のほぼ全域に亙ってほぼ平行なトラックを有し、そして各端部は端部部分によって閉じており、前記レーストラックの間の間隔が、基板の上へのスパッタリングに実質的に影響を与えるように、局所的に増加している、スパッタリング・マグネトロン。

IPC (2件)：

C23C 14/35 ,  H01J 37/34

FI (2件)：

C23C 14/35 Z ,  H01J 37/34

Fターム (3件)：

4K029DC13 ,  4K029DC43 ,  4K029DC45

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開平1-240653
  
• 特開平1-147063
  
• 特開平1-240653
  
• 特開平1-147063