特許
J-GLOBAL ID：200903042016610780
半導体の製造方法及び半導体レーザ装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
前田 弘 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-298380
公開番号（公開出願番号）：特開平11-135885
出願日： 1997年10月30日
公開日（公表日）： 1999年05月21日
要約：
【要約】【課題】 インジウムと窒素とを含むIII -V族化合物半導体を用いた短波長半導体レーザ装置において、所定の動作寿命を達成できるようにする。【解決手段】 C面を主面に持つサファイアからなる基板11の上に、GaNからなり、膜厚が3μmの下地層13を形成した後、基板11の温度を810°Cにまで降温する。その後、キャリアガスを水素ガスから希ガスであるアルゴンガスに切り替え、TMGとTMIとをTMIのTMGに対する気相比が0.9で、V族/III 族供給モル比が10000として1時間供給することにより、下地層13の上面にInGaNからなり、膜厚が100nmの半導体層14を成長させる。
請求項（抜粋）：
有機金属気相成長法を用いて、反応室に設けられたサセプタに保持されている基板の上に化合物半導体を成長させる半導体の製造方法であって、インジウムを含むIII 族原料ガスを前記反応室に供給すると共に、窒素を含むV族原料ガスを前記反応室に供給する工程と、前記反応室に供給された前記III 族原料ガスと前記V族原料ガスとを混合し、混合された原料ガスを前記基板の上面に搬送する希ガスからなるキャリアガスを前記反応室に供給する工程とを備えていることを特徴とする半導体の製造方法。
IPC (4件)：
H01S 3/18
, H01L 21/203
, H01L 21/205
, H01L 33/00
H01S 3/18
, H01L 21/203 S
, H01L 21/205
, H01L 33/00 C
