特許

J-GLOBAL ID：200903042019239349

半導体基板の洗浄装置及び洗浄方法並びに洗浄液の生成 方法

発明者： 白水 好美
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-072927
公開番号（公開出願番号）：特開平8-274057
出願日： 1995年03月30日
公開日（公表日）： 1996年10月18日
要約：

【要約】【目的】化学薬品、超純水を多量に使用することなく、ウェーハ表面上の有機ならびに金属不純物の除去が可能な洗浄装置及び洗浄方法並びに洗浄液生の成方法を提供し、半導体装置製造コストの削減と環境負荷の低減を図る。【構成】PEEK材からなる洗浄槽6に純水供給口2より純水を入れ、Cl2 供給口1Aより純水中にCl2 をバブリングさせ塩素イオンと次亜塩素酸イオンと塩素酸イオンを含む洗浄液を生成し、この洗浄液中にウェーハ5を浸漬させて洗浄する。

請求項（抜粋）：

洗浄槽と、この洗浄槽に設けたれた純水供給口と洗浄液排出口と、前記洗浄槽に設けられ純水中に塩素ガスをバブリングさせる為の塩素ガス供給口を有する配管とを含むことを特徴とする半導体基板の洗浄装置。

IPC (7件)：

H01L 21/304 341 ,  H01L 21/304 ,  C11D 7/60 ,  H01L 21/306 ,  H01L 21/308 ,  C11D 7:18 ,  C11D 7:10

FI (6件)：

H01L 21/304 341 Z ,  H01L 21/304 341 L ,  H01L 21/304 341 T ,  C11D 7/60 ,  H01L 21/308 G ,  H01L 21/306 B