特許
J-GLOBAL ID：200903042024611124
半導体製造装置及び半導体装置の製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
北野 好人
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-332215
公開番号（公開出願番号）：特開平7-193074
出願日： 1993年12月27日
公開日（公表日）： 1995年07月28日
要約：
【要約】【目的】本発明は、反応管の外側からの金属不純物の透過を阻止して、反応管内で処理される半導体装置を金属不純物の汚染から保護する半導体製造装置及び半導体装置の製造方法を提供する。【構成】半導体装置の製造工程における熱酸化や不純物拡散等の熱処理に用いられる半導体製造装置は、炉体10の中央に一方の端部を絞った高純度のSiC反応炉12が設置され、このSiC反応炉12の外側のほぼ全体にわたり少なくとも2mm以上の間隔をおいて、酸素-水素炎溶融法により製造された200ppmのOH基を含有する筒状の石英管14が設置され、この石英管14の外側には、ヒータ16が設置されている。SiC反応炉12内にはボード18に装填されたSiウェーハ20が挿入され、所定の温度、所定の雰囲気中で熱処理されるようになっている。
請求項（抜粋）：
半導体装置の製造工程における熱処理に用いられる炭化珪素反応管と、前記炭化珪素反応管の外側に設置され、水酸基を少なくとも100ppm以上含有する筒状の石英管とを有することを特徴とする半導体製造装置。
IPC (3件)：
H01L 21/324
, C03B 20/00
, H01L 21/22 501
