特許
J-GLOBAL ID：200903042026864275
絶縁膜形成方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
大垣 孝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-020363
公開番号（公開出願番号）：特開平5-218006
出願日： 1992年02月06日
公開日（公表日）： 1993年08月27日
要約：
【要約】【目的】 シリコン基板上に、従来よりも薄くしかも膜厚の制御性に優れ、かつ絶縁耐性が高くしかも膜質の優れた絶縁膜を形成すること。【構成】 シリコン基板18を、一酸化二窒素(N2 O)ガスとアンモニア(NH3 )(分圧比5%未満)からなる混合ガス雰囲気の反応炉に入れ、常圧または減圧下で前記基板を赤外線で加熱処理しながら第1の酸窒化膜を形成する。次に、炉内のNH3 ガスの分圧比を5%、10%として、加熱処理しながら前記酸窒化膜上に、第2および第3の酸窒化膜を順次形成する。
請求項（抜粋）：
反応炉内で、シリコンの下地上に絶縁膜を形成する方法において、反応炉内を、窒素含有または窒素非含有の酸化性ガスとアンモニア(NH3 )ガスとからなる混合ガスの雰囲気とし、かつ下地を加熱処理しながら、前記下地に第1の絶縁膜を形成する工程と、前記反応炉内の前記混合ガスの混合比を、アンモニアガスの比率が高くなるようにして順次変え、かつ下地を加熱処理しながら、前記第1絶縁膜上に第2以降の絶縁膜を順次形成していく工程とを含むことを特徴とする絶縁膜形成方法。
IPC (2件)：
引用特許：
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