特許
J-GLOBAL ID：200903042027690866
R-TM-B磁石の製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
大場 充
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-272677
公開番号（公開出願番号）：特開平6-124814
出願日： 1992年10月12日
公開日（公表日）： 1994年05月06日
要約：
【要約】【目的】 めっき膜のピンホールの最底部にまでクロメート被膜を形成し耐食性を向上させる。【構成】 R(ここでRは、Yを含む希土類元素の1種又は2種以上)、TM(ここでTMは、遷移金属元素の1種又は2種以上)、B(硼素)からなるR-TM-B系永久磁石の表面にめっき層、クロム酸塩被膜層が順次積層されたR-TM-B磁石の製造方法において、クロム酸塩被膜層形成時に超音波振動を付与する。
請求項（抜粋）：
R(ここでRは、Yを含む希土類元素の1種又は2種以上)、TM(ここでTMは、遷移金属元素の1種又は2種以上)、B(硼素)からなるR-TM-B系永久磁石の表面にめっき層、クロム酸塩被膜層が順次積層されたR-TM-B磁石の製造方法において、クロム酸塩被膜層形成時に超音波振動を付与することを特徴とするR-TM-B系永久磁石の製造方法。
IPC (3件)：
H01F 1/053
, C22C 38/00 303
, H01F 1/08
