特許
J-GLOBAL ID:200903042029174970

電磁界発生素子、情報記録再生ヘッドおよび情報記録再生装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (3件): 原 謙三 ,  木島 隆一 ,  金子 一郎
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2003-092383
公開番号(公開出願番号):特開2004-303299
出願日: 2003年03月28日
公開日(公表日): 2004年10月28日
要約:
【課題】近接場による光アシスト磁気記録再生の高周波磁気記録再生において、磁界の減衰または遅延を低減させることができる電磁界発生素子、情報記録再生ヘッドおよび情報記録再生装置を提供する。【解決手段】本発明の電磁界発生素子17は、電流18が導体11を流れると、狭窄部12の表面25の面に対して平行な磁界を発生し、狭窄部12にレーザ出射光16が基板10側から照射されることにより、狭窄部12の表面25の面に対して垂直な電界ベクトルによる表面プラズモンが励起され、基板10と狭窄部12との界面に対向した表面25から近接場が発生する。【選択図】 図1
請求項(抜粋):
光源と、電流が狭窄される狭窄部を有した導体が積層された基板とを有し、前記光源からの光が前記狭窄部に照射されると、前記狭窄部に近接場を発生することを特徴とする電磁界発生素子。
IPC (4件):
G11B5/02 ,  G11B7/125 ,  G11B7/135 ,  G11B11/105
FI (10件):
G11B5/02 T ,  G11B7/125 A ,  G11B7/135 A ,  G11B11/105 551K ,  G11B11/105 551L ,  G11B11/105 566C ,  G11B11/105 566D ,  G11B11/105 571D ,  G11B11/105 571H ,  G11B11/105 571P
Fターム (26件):
5D075AA03 ,  5D075CC04 ,  5D075CC12 ,  5D075CD06 ,  5D075CD18 ,  5D075CE17 ,  5D075CF08 ,  5D091AA08 ,  5D091CC24 ,  5D091DD30 ,  5D091HH20 ,  5D789AA09 ,  5D789AA21 ,  5D789BB05 ,  5D789BB11 ,  5D789CA06 ,  5D789CA21 ,  5D789CA23 ,  5D789DA01 ,  5D789DA05 ,  5D789EB02 ,  5D789FA05 ,  5D789FA15 ,  5D789FA36 ,  5D789JA06 ,  5D789JA70

前のページに戻る