特許
J-GLOBAL ID:200903042029470154

カーボンナノチューブの製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 吉田 研二 (外2名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平10-082813
公開番号(公開出願番号):特開平11-263610
出願日: 1998年03月13日
公開日(公表日): 1999年09月28日
要約:
【要約】【課題】 得られるカーボンナノチューブの径と長さの均一性が高く、合成の制御が容易であるカーボンナノチューブの製造方法を提供する。【解決手段】 SiC粉末の成形体またはSiC粉末とカーボン粉末の混合物の成形体である試料10を試料台14の上にセットし、これらが収容されたアーク溶解炉12をポンプ16によって真空引きする。このアーク溶解炉12にアルゴンガス導入弁18からアルゴンを導入し、系内をアルゴンガスで置換した後、溶解電源22から試料台14及び電極20に電圧を印加してアーク放電を発生させ、このアークを試料10に照射した。これにより、試料10を2000°C以上に加熱し、その表面に比較的均一な径のカーボンナノチューブを合成した。
請求項(抜粋):
SiCからなる試料にアーク放電を照射することを特徴とするカーボンナノチューブの製造方法。

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